高真空濺射可用于金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多種新型薄膜材料的制備，且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛用于大專、科研院所的薄膜材料研究、制備。

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詳細(xì)介紹

主要特點(diǎn)：

1、真空度高。
2、可制備多種薄膜，金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等，應(yīng)用廣泛。
3、體積小，操作簡便。
4、清理安裝便捷。
5、控制可選一體化觸摸屏控制

技術(shù)參數(shù)：

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高真空濺射可用于金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多種新型薄膜材料的制備，且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛用于大專、科研院所的薄膜材料研究、制備。

高真空濺射可用于金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多種新型薄膜材料的制備，且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛用于大專、科研院所的薄膜材料研究、制備。